onsemi · Полупроводники

onsemi BVSS123LT1G — Транзисторы с каналом N SMD

MPN / артикул: BVSS123LT1G

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

Производитель автоматикиonsemi
АртикулBVSS123LT1G
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 0,17 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT23 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD

Фото товара

onsemi BVSS123LT1G — Транзисторы с каналом N SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

onsemi BVSS123LT1G — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 0,17 А.

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23.

Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 6Ом; Рассеиваемая мощность — 0,225Вт; Полярность — полевой.

Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.

Перед заказом проверьте артикул BVSS123LT1G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
0,17 А
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
BVSS123LT1G
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.