О модели
Описание
onsemi AFGB30T65SQDN. Категория: «Транзисторы IGBT SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; Напряжение коллектор-эмиттер — 650В; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 30 А; Ток коллектора в импульсе — 120А; Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 110Вт.
Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode; Заряд затвора — 56нC.
Перед заказом проверьте артикул AFGB30T65SQDN, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 30 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- AFGB30T65SQDN
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
