О модели
Описание
NXP BFU725F/N1,115 — транзистор.
Тип транзистора — NPN; Ток коллектора — 0,04 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT343F.
Напряжение коллектор-эмиттер — 2,8В; Коэффициент усиления по току — 160...400; Рассеиваемая мощность — 136мВт; Полярность — биполярный.
Характеристики полупроводниковых элементов — silicon germanium transistor (SiGe); Вид транзистора — RF.
Перед заказом проверьте артикул BFU725F/N1,115, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 0,04 А
- Частота
- 110000000000 Гц
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT343F
- Тип транзистора
- NPN
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- BFU725F/N1,115
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
