NTE Electronics
· Полупроводники
NTE Electronics NTE2919 — Транзисторы с каналом P THT
MPN / артикул: NTE2919
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -20А; Idm: -80А; 25Вт; TO220F
Монтаж: THT · Корпус: TO220F · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P THT
О модели
Описание
NTE Electronics NTE2919. Категория: «Транзисторы с каналом P THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220F; Напряжение сток-исток — -60В; Ток стока — -20А.
Сопротивление в открытом состоянии — 92мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 25Вт; Полярность — полевой.
Версия — ESD; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — -80А.
Перед заказом проверьте артикул NTE2919, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO220F
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- NTE2919
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
