NEXPERIA
· Полупроводники
NEXPERIA PSMN2R8-80BS,118 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: PSMN2R8-80BS,118
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; Idm: 824А; 306Вт
Ток стока: 120 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT404 · Корпус: D2PAK · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
NEXPERIA PSMN2R8-80BS,118 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 120 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; SOT404.
Напряжение сток-исток — 80В; Сопротивление в открытом состоянии — 6,12мОм; Рассеиваемая мощность — 306Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 139нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 824А.
Перед заказом проверьте артикул PSMN2R8-80BS,118, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 120 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK, SOT404
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- PSMN2R8-80BS,118
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
