NEXPERIA
· Полупроводники
NEXPERIA PMGD780SN,115 — Транзисторы многоканальные
MPN / артикул: PMGD780SN,115
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,31А; 410мВт
Ток стока: 0,31 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT363 · Корпус: TSSOP6 · Корпус: SC88 · Тип транзистора: N-MOSFET x2 · Тип товара: Транзисторы многоканальные
О модели
Описание
NEXPERIA PMGD780SN,115. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC88; SOT363; TSSOP6; Напряжение сток-исток — 60В; Ток стока — 0,31 А.
Сопротивление в открытом состоянии — 1,7Ом; Тип транзистора — N-MOSFET x2; Рассеиваемая мощность — 0,41Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 1,05нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул PMGD780SN,115, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 0,31 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SC88, SOT363, TSSOP6
- Тип транзистора
- N-MOSFET x2
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- PMGD780SN,115
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
