О модели
Описание
NEXPERIA NXV90EPR. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23; TO236AB; Напряжение сток-исток — -30В; Ток стока — -1А.
Сопротивление в открытом состоянии — 0,2Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 0,34Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 5,2нC; Технология — Trench; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±-20В.
Ток стока в импульсном режиме — -6А.
Перед заказом проверьте артикул NXV90EPR, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT23, TO236AB
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- NXV90EPR
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
