NEXPERIA
· Полупроводники
NEXPERIA NXV65UPR — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: NXV65UPR
Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -1,3А; Idm: -8,4А
Монтаж: SMD · Корпус: SOT23 · Корпус: TO236AB · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
NEXPERIA NXV65UPR. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23; TO236AB; Напряжение сток-исток — -20В; Ток стока — -1,3А.
Сопротивление в открытом состоянии — 0,15Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 0,34Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 5,8нC; Технология — Trench; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±8В.
Ток стока в импульсном режиме — -8,4А.
Перед заказом проверьте артикул NXV65UPR, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT23, TO236AB
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- NXV65UPR
Материалы
Документация
Техническое описание: NXV65UPEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
