NEXPERIA
· Полупроводники
NEXPERIA NSF080120L3A0Q — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: NSF080120L3A0Q
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 25А; Idm: 80А; 183Вт
Ток стока: 25 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
NEXPERIA NSF080120L3A0Q — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 25 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247-3.
Напряжение сток-исток — 1,2кВ; Сопротивление в открытом состоянии — 0,12Ом; Рассеиваемая мощность — 183Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 52нC; Технология — SiC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — -10...22В.
Ток стока в импульсном режиме — 80А.
Перед заказом проверьте артикул NSF080120L3A0Q, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 25 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO247-3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- NSF080120L3A0Q
Материалы
Документация
Техническое описание: NSF080120L3A0EN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
