О модели
Описание
NEXPERIA MJD45H11J. Категория: «Транзисторы PNP SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252; Частота — 80 МГц; Напряжение коллектор-эмиттер — 80В.
Коэффициент усиления по току — 60; Ток коллектора — 8 А; Ток коллектора в импульсе — 16А; Тип транзистора — PNP.
Рассеиваемая мощность — 1,75Вт; Полярность — биполярный.
Перед заказом проверьте артикул MJD45H11J, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 8 А
- Частота
- 80000000 Гц
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK, TO252
- Тип транзистора
- PNP
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- MJD45H11J
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
