О модели
Описание
NEXPERIA BSH205G2R. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23; TO236AB; Напряжение сток-исток — -20В; Ток стока — -1,2А.
Сопротивление в открытом состоянии — 0,6Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 0,89Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 6,5нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±8В.
Перед заказом проверьте артикул BSH205G2R, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT23, TO236AB
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- BSH205G2R
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
