О модели
Описание
NEXPERIA BSH201,215. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23; TO236AB; Напряжение сток-исток — -60В; Ток стока — -0,19А.
Сопротивление в открытом состоянии — 4,25Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 0,17Вт; Полярность — полевой.
Характеристики полупроводниковых элементов — logic level; Заряд затвора — 3нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул BSH201,215, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT23, TO236AB
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- BSH201,215
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
