NEXPERIA
· Полупроводники
NEXPERIA BSH111BKR — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: BSH111BKR
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 0,13А; 364мВт; SOT23,TO236AB
Ток стока: 0,13 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT23 · Корпус: TO236AB · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
NEXPERIA BSH111BKR — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 0,13 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23; TO236AB.
Напряжение сток-исток — 55В; Сопротивление в открытом состоянии — 8,1Ом; Рассеиваемая мощность — 364мВт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 0,5нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±10В.
Перед заказом проверьте артикул BSH111BKR, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 0,13 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT23, TO236AB
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- BSH111BKR
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
