MICRON TECHNOLOGY
· Интегральные микросхемы
MICRON TECHNOLOGY M29F800FT55N3E2 — Памяти FLASH параллельные
MPN / артикул: M29F800FT55N3E2
IC: память FLASH; 8МбFLASH; 1Mx8бит; 55нс; TFSOP48; параллельный
Тип микросхемы: память FLASH · Монтаж: SMD · Корпус: TFSOP48 · Тип товара: Памяти FLASH параллельные · Рабочее напряжение: 5 В
О модели
Описание
MICRON TECHNOLOGY M29F800FT55N3E2. Категория: «Памяти FLASH параллельные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Рабочая температура — -40...125°C; Корпус — TFSOP48; Рабочее напряжение — 5 В.
Тип микросхемы — память FLASH; Вид памяти — NOR; Структура памяти — 1Mx8бит; Время доступа — 55нс.
Виды интерфейса — параллельный; Память — 8Мб FLASH.
Перед заказом проверьте артикул M29F800FT55N3E2, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Тип микросхемы
- память FLASH
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TFSOP48
- Рабочее напряжение
- 5 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- M29F800FT55N3E2
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
