Microchip Technology
· Полупроводники
Microchip Technology MSMLJ51CAE3 — Диоды TVS SMD двунаправленные
MPN / артикул: MSMLJ51CAE3
Диод: TVS; 3кВт; 59,7В; 36,4А; двунаправленный; ±5%; DO214AB
Погрешность: ±5% · Тип диода: TVS · Монтаж: SMD · Корпус: DO214AB · Максимальное обратное напряжение: 51 В · Тип товара: Диоды TVS SMD двунаправленные
О модели
Описание
Microchip Technology MSMLJ51CAE3. Категория: «Диоды TVS SMD двунаправленные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DO214AB; Погрешность — ±5%; Максимальное обратное напряжение — 51 В.
Конструкция диода — двунаправленный; Импульсный ток — 36,4А; Напряжение пробоя — 59,7В; Ток утечки — 2мкА.
Тип диода — TVS; Рассеиваемая мощность в импульсе макс. — 3кВт.
Перед заказом проверьте артикул MSMLJ51CAE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Погрешность
- ±5%
- Тип диода
- TVS
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DO214AB
- Максимальное обратное напряжение
- 51 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- MSMLJ51CAE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
