Microchip Technology
· Полупроводники
Microchip Technology MSC080SMB120SDT/RM — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: MSC080SMB120SDT/RM
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 30А; Idm: 111А; 268Вт
Ток стока: 30 А · Монтаж: SMD · Корпус: TO263-7XL · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Microchip Technology MSC080SMB120SDT/RM — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 30 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO263-7XL.
Напряжение сток-исток — 1,2кВ; Сопротивление в открытом состоянии — 0,1Ом; Рассеиваемая мощность — 268Вт; Полярность — полевой.
Характеристики полупроводниковых элементов — вывод Кельвина; Заряд затвора — 64нC; Технология — SiC; Вид канала — обогащенный.
Семейство — SMB; Ток стока в импульсном режиме — 111А.
Перед заказом проверьте артикул MSC080SMB120SDT/RM, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 30 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO263-7XL
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- MSC080SMB120SDT/RM
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
