Microchip Technology · Полупроводники

Microchip Technology APT80GP60B2G — Транзисторы IGBT THT

MPN / артикул: APT80GP60B2G

Транзистор: IGBT; PT; 600В; 100А; 1041Вт; T-Max

Производитель автоматикиMicrochip Technology
АртикулAPT80GP60B2G
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток коллектора: 100 А · Монтаж: THT · Корпус: T-Max · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT THT

Фото товара

Microchip Technology APT80GP60B2G — Транзисторы IGBT THT

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

Microchip Technology APT80GP60B2G. Категория: «Транзисторы IGBT THT».

Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — T-Max; Напряжение коллектор-эмиттер — 600В; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.

Ток коллектора — 100 А; Ток коллектора в импульсе — 330А; Время включения — 69нс; Время выключения — 233нс.

Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 1041Вт; Заряд затвора — 280нC; Технология — POWER MOS 7®; PT.

Перед заказом проверьте артикул APT80GP60B2G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток коллектора
100 А
Монтаж
THT
Корпус
T-Max
Тип транзистора
IGBT
Единица продажи
шт
Артикул производителя
APT80GP60B2G
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.