Microchip Technology
· Полупроводники
Microchip Technology APT50GT120B2RDQ2G — Транзисторы IGBT THT
MPN / артикул: APT50GT120B2RDQ2G
Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 50А; 625Вт; T-Max
Ток коллектора: 50 А · Монтаж: THT · Корпус: T-Max · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT THT
О модели
Описание
Microchip Technology APT50GT120B2RDQ2G. Категория: «Транзисторы IGBT THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — T-Max; Напряжение коллектор-эмиттер — 1,2кВ; Напряжение затвор - эмиттер — ±30В.
Ток коллектора — 50 А; Ток коллектора в импульсе — 150А; Время включения — 77нс; Время выключения — 303нс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 625Вт; Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode; Заряд затвора — 340нC.
Технология — NPT.
Перед заказом проверьте артикул APT50GT120B2RDQ2G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 50 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- T-Max
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- APT50GT120B2RDQ2G
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
