Microchip Technology
· Полупроводники
Microchip Technology APT45GP120JDQ2 — Модули IGBT
MPN / артикул: APT45GP120JDQ2
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 34А; SOT227B
Ток коллектора: 34 А · Корпус: SOT227B · Максимальное обратное напряжение: 1200 В · Тип товара: Модули IGBT
О модели
Описание
Microchip Technology APT45GP120JDQ2. Категория: «Модули IGBT».
Корпус — SOT227B; Максимальное обратное напряжение — 1200 В; Конструкция диода — одиночный транзистор; Напряжение затвор - эмиттер — ±30В.
Ток коллектора — 34 А; Ток коллектора в импульсе — 170А; Рассеиваемая мощность — 329Вт; Электрический монтаж — винтами.
Механический монтаж — винтами; Технология — POWER MOS 7®; Тип полупроводникового модуля — IGBT.
Перед заказом проверьте артикул APT45GP120JDQ2, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 34 А
- Корпус
- SOT227B
- Максимальное обратное напряжение
- 1200 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- APT45GP120JDQ2
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
