Microchip Technology
· Полупроводники
Microchip Technology APT35GP120J — Модули IGBT
MPN / артикул: APT35GP120J
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B
Ток коллектора: 29 А · Корпус: SOT227B · Максимальное обратное напряжение: 1200 В · Тип товара: Модули IGBT
О модели
Описание
Microchip Technology APT35GP120J. Категория: «Модули IGBT».
Корпус — SOT227B; Максимальное обратное напряжение — 1200 В; Конструкция диода — одиночный транзистор; Напряжение затвор - эмиттер — ±30В.
Ток коллектора — 29 А; Ток коллектора в импульсе — 140А; Электрический монтаж — винтами; Механический монтаж — винтами.
Технология — POWER MOS 7®; PT; Тип полупроводникового модуля — IGBT.
Перед заказом проверьте артикул APT35GP120J, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 29 А
- Корпус
- SOT227B
- Максимальное обратное напряжение
- 1200 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- APT35GP120J
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
