Microchip Technology
· Полупроводники
Microchip Technology APT35GP120B2D2G — Транзисторы IGBT THT
MPN / артикул: APT35GP120B2D2G
Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 46А; 543Вт; T-Max
Ток коллектора: 46 А · Монтаж: THT · Корпус: T-Max · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT THT
О модели
Описание
Microchip Technology APT35GP120B2D2G. Категория: «Транзисторы IGBT THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — T-Max; Напряжение коллектор-эмиттер — 1,2кВ; Напряжение затвор - эмиттер — ±30В.
Ток коллектора — 46 А; Ток коллектора в импульсе — 140А; Время включения — 36нс; Время выключения — 0,22мкс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 543Вт; Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode; Заряд затвора — 150нC.
Технология — POWER MOS 7®; PT.
Перед заказом проверьте артикул APT35GP120B2D2G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 46 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- T-Max
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- APT35GP120B2D2G
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
