Microchip Technology
· Полупроводники
Microchip Technology APT33GF120LRDQ2G — Транзисторы IGBT THT
MPN / артикул: APT33GF120LRDQ2G
Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 30А; 357Вт; TO264
Ток коллектора: 30 А · Монтаж: THT · Корпус: TO264 · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT THT
О модели
Описание
Microchip Technology APT33GF120LRDQ2G. Категория: «Транзисторы IGBT THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO264; Напряжение коллектор-эмиттер — 1,2кВ; Напряжение затвор - эмиттер — ±30В.
Ток коллектора — 30 А; Ток коллектора в импульсе — 75А; Время включения — 31нс; Время выключения — 355нс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 357Вт; Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode; Заряд затвора — 170нC.
Технология — NPT.
Перед заказом проверьте артикул APT33GF120LRDQ2G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 30 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO264
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- APT33GF120LRDQ2G
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
