Microchip Technology
· Полупроводники
Microchip Technology APT25GP120BDQ1G — Транзисторы IGBT THT
MPN / артикул: APT25GP120BDQ1G
Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 33А; 417Вт; TO247-3
Ток коллектора: 33 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247-3 · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT THT
О модели
Описание
Microchip Technology APT25GP120BDQ1G. Категория: «Транзисторы IGBT THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247-3; Напряжение коллектор-эмиттер — 1,2кВ; Напряжение затвор - эмиттер — ±30В.
Ток коллектора — 33 А; Ток коллектора в импульсе — 90А; Время включения — 26нс; Время выключения — 200нс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 417Вт; Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode; Заряд затвора — 110нC.
Технология — POWER MOS 7®; PT.
Перед заказом проверьте артикул APT25GP120BDQ1G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 33 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO247-3
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- APT25GP120BDQ1G
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
