Microchip Technology
· Полупроводники
Microchip Technology APT25GN120B2DQ2G — Транзисторы IGBT THT
MPN / артикул: APT25GN120B2DQ2G
Транзистор: IGBT; Field Stop; 1,2кВ; 33А; 272Вт; T-Max
Ток коллектора: 33 А · Монтаж: THT · Корпус: T-Max · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT THT
О модели
Описание
Microchip Technology APT25GN120B2DQ2G. Категория: «Транзисторы IGBT THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — T-Max; Напряжение коллектор-эмиттер — 1,2кВ; Напряжение затвор - эмиттер — ±30В.
Ток коллектора — 33 А; Ток коллектора в импульсе — 75А; Время включения — 39нс; Время выключения — 560нс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 272Вт; Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode; Заряд затвора — 155нC.
Технология — Field Stop.
Перед заказом проверьте артикул APT25GN120B2DQ2G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 33 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- T-Max
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- APT25GN120B2DQ2G
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
