LUGUANG ELECTRONIC
· Полупроводники
LUGUANG ELECTRONIC LGEGW75N65S — Транзисторы IGBT THT
MPN / артикул: LGEGW75N65S
Транзистор: IGBT; 650В; 75А; 250Вт; TO247
Ток коллектора: 75 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247 · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT THT
О модели
Описание
LUGUANG ELECTRONIC LGEGW75N65S. Категория: «Транзисторы IGBT THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247; Напряжение коллектор-эмиттер — 650В; Напряжение затвор - эмиттер — ±30В.
Ток коллектора — 75 А; Ток коллектора в импульсе — 300А; Время включения — 156нс; Время выключения — 348нс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 250Вт; Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode; Заряд затвора — 340нC.
Перед заказом проверьте артикул LGEGW75N65S, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 75 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO247
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- LGEGW75N65S
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
