LUGUANG ELECTRONIC
· Полупроводники
LUGUANG ELECTRONIC LGEGW50N65F1A — Транзисторы IGBT THT
MPN / артикул: LGEGW50N65F1A
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 312Вт; TO247
Ток коллектора: 50 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247 · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT THT
О модели
Описание
LUGUANG ELECTRONIC LGEGW50N65F1A. Категория: «Транзисторы IGBT THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247; Напряжение коллектор-эмиттер — 650В; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 50 А; Ток коллектора в импульсе — 150А; Время включения — 62нс; Время выключения — 268нс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 312Вт; Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode; Заряд затвора — 180нC.
Перед заказом проверьте артикул LGEGW50N65F1A, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 50 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO247
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- LGEGW50N65F1A
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
