LUGUANG ELECTRONIC · Полупроводники

LUGUANG ELECTRONIC LGE3M160120E — Транзисторы с каналом N SMD

MPN / артикул: LGE3M160120E

Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 11А; Idm: 38А; 127Вт

Производитель автоматикиLUGUANG ELECTRONIC
АртикулLGE3M160120E
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 11 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD

Фото товара

LUGUANG ELECTRONIC LGE3M160120E — Транзисторы с каналом N SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.
О модели

Описание

Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 11А; Idm: 38А; 127Вт

Перед заказом проверьте артикул LGE3M160120E, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Единица продажи
шт
Артикул производителя
LGE3M160120E
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.

Подбор по фотоШильдик и описание Загрузить BOMXLS, XLSX, DOCX, CSV