LUGUANG ELECTRONIC
· Полупроводники
LUGUANG ELECTRONIC LGE3M160120E — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: LGE3M160120E
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 11А; Idm: 38А; 127Вт
Ток стока: 11 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
LUGUANG ELECTRONIC LGE3M160120E — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 11 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK.
Напряжение сток-исток — 1,2кВ; Сопротивление в открытом состоянии — 0,285Ом; Рассеиваемая мощность — 127Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 42нC; Технология — SiC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — -5...20В.
Ток стока в импульсном режиме — 38А.
Перед заказом проверьте артикул LGE3M160120E, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 11 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- LGE3M160120E
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
