LUGUANG ELECTRONIC
· Полупроводники
LUGUANG ELECTRONIC LGE2312 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: LGE2312
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,9А; SOT23
Ток стока: 4,9 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT23 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
LUGUANG ELECTRONIC LGE2312 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 4,9 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23.
Напряжение сток-исток — 20В; Сопротивление в открытом состоянии — 31мОм; Полярность — полевой; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул LGE2312, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 4,9 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT23
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- LGE2312
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
