LUGUANG ELECTRONIC
· Полупроводники
LUGUANG ELECTRONIC LGE2301 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: LGE2301
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; 1Вт; SOT23
Монтаж: SMD · Корпус: SOT23 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
LUGUANG ELECTRONIC LGE2301. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23; Напряжение сток-исток — -20В; Ток стока — -3А.
Сопротивление в открытом состоянии — 0,14Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 1Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 12нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±12В.
Перед заказом проверьте артикул LGE2301, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT23
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- LGE2301
Материалы
Документация
Техническое описание: LGE2301EN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
