LITTELFUSE
· Полупроводники
LITTELFUSE NGB8207ABNT4G — Транзисторы IGBT SMD
MPN / артикул: NGB8207ABNT4G
Транзистор: IGBT; 365В; 20А; 165Вт; D2PAK; системы зажигания; ESD
Ток коллектора: 20 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT SMD
О модели
Описание
LITTELFUSE NGB8207ABNT4G. Категория: «Транзисторы IGBT SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; Напряжение коллектор-эмиттер — 365В; Напряжение затвор - эмиттер — ±15В.
Ток коллектора — 20 А; Ток коллектора в импульсе — 50А; Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 165Вт.
Версия — ESD; Характеристики полупроводниковых элементов — logic level.
Перед заказом проверьте артикул NGB8207ABNT4G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 20 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- NGB8207ABNT4G
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
