IXYS · Полупроводники

IXYS MIXA10WB1200TED — Модули IGBT

MPN / артикул: MIXA10WB1200TED

Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 12А

Производитель автоматикиIXYS
АртикулMIXA10WB1200TED
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток коллектора: 12 А · Корпус: E2-Pack · Максимальное обратное напряжение: 1200 В · Тип товара: Модули IGBT

Фото товара

IXYS MIXA10WB1200TED — Модули IGBT

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

IXYS MIXA10WB1200TED. Категория: «Модули IGBT».

Корпус — E2-Pack; Максимальное обратное напряжение — 1200 В; Конструкция диода — диод/транзистор; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.

Ток коллектора — 12 А; Ток коллектора в импульсе — 30А; Рассеиваемая мощность — 60Вт; Электрический монтаж — Press-in PCB.

Механический монтаж — винтами; Технология — Sonic FRD™; XPT™; Топология — 3-фазный диодный мост; 3-фазный мост IGBT; buck chopper; термистор NTC; Тип полупроводникового модуля — IGBT.

Перед заказом проверьте артикул MIXA10WB1200TED, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток коллектора
12 А
Корпус
E2-Pack
Максимальное обратное напряжение
1200 В
Единица продажи
шт
Артикул производителя
MIXA10WB1200TED
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.