IXYS · Полупроводники

IXYS IXYX200N65B3 — Транзисторы IGBT THT

MPN / артикул: IXYX200N65B3

Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 200А; 1,56кВт; PLUS247™

Производитель автоматикиIXYS
АртикулIXYX200N65B3
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток коллектора: 200 А · Монтаж: THT · Корпус: PLUS247TM · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT THT

Фото товара

IXYS IXYX200N65B3 — Транзисторы IGBT THT

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

IXYS IXYX200N65B3. Категория: «Транзисторы IGBT THT».

Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — PLUS247™; Напряжение коллектор-эмиттер — 650В; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.

Ток коллектора — 200 А; Ток коллектора в импульсе — 1,1кА; Время включения — 170нс; Время выключения — 700нс.

Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 1,56кВт; Заряд затвора — 340нC; Технология — GenX3™; XPT™.

Перед заказом проверьте артикул IXYX200N65B3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток коллектора
200 А
Монтаж
THT
Корпус
PLUS247TM
Тип транзистора
IGBT
Единица продажи
шт
Артикул производителя
IXYX200N65B3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.