IXYS · Полупроводники

IXYS IXYN30N170CV1 — Модули IGBT

MPN / артикул: IXYN30N170CV1

Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 30А; SOT227B

Производитель автоматикиIXYS
АртикулIXYN30N170CV1
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток коллектора: 30 А · Корпус: SOT227B · Максимальное обратное напряжение: 1700 В · Тип товара: Модули IGBT

Фото товара

IXYS IXYN30N170CV1 — Модули IGBT

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

IXYS IXYN30N170CV1. Категория: «Модули IGBT».

Корпус — SOT227B; Максимальное обратное напряжение — 1700 В; Конструкция диода — одиночный транзистор; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.

Ток коллектора — 30 А; Ток коллектора в импульсе — 275А; Рассеиваемая мощность — 680Вт; Электрический монтаж — винтами.

Механический монтаж — винтами; Технология — XPT™; Тип полупроводникового модуля — IGBT.

Перед заказом проверьте артикул IXYN30N170CV1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток коллектора
30 А
Корпус
SOT227B
Максимальное обратное напряжение
1700 В
Единица продажи
шт
Артикул производителя
IXYN30N170CV1
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.