О модели
Описание
IXYS IXXP12N65B4D1. Категория: «Транзисторы IGBT THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220-3; Напряжение коллектор-эмиттер — 650В; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 12 А; Ток коллектора в импульсе — 70А; Время включения — 44нс; Время выключения — 245нс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 160Вт; Заряд затвора — 34нC; Технология — GenX4™; Trench; XPT™.
Перед заказом проверьте артикул IXXP12N65B4D1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 12 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO220-3
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXXP12N65B4D1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
