О модели
Описание
IXYS IXXN110N65B4H1. Категория: «Модули IGBT».
Корпус — SOT227B; Максимальное обратное напряжение — 650 В; Конструкция диода — одиночный транзистор; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 110 А; Ток коллектора в импульсе — 650А; Рассеиваемая мощность — 750Вт; Электрический монтаж — винтами.
Механический монтаж — винтами; Технология — GenX4™; XPT™; Тип полупроводникового модуля — IGBT.
Перед заказом проверьте артикул IXXN110N65B4H1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 110 А
- Корпус
- SOT227B
- Максимальное обратное напряжение
- 650 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXXN110N65B4H1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
