IXYS
· Полупроводники
IXYS IXXH80N65B4H1 — Транзисторы IGBT THT
MPN / артикул: IXXH80N65B4H1
Транзистор: IGBT; GenX4™; 650В; 80А; 625Вт; TO247-3
Ток коллектора: 80 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247-3 · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT THT
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
IXYS IXXH80N65B4H1. Категория: «Транзисторы IGBT THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247-3; Напряжение коллектор-эмиттер — 650В; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 80 А; Ток коллектора в импульсе — 430А; Время включения — 123нс; Время выключения — 147нс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 625Вт; Заряд затвора — 0,12мкC; Технология — GenX4™; Trench; XPT™.
Перед заказом проверьте артикул IXXH80N65B4H1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 80 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO247-3
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXXH80N65B4H1
Материалы
Документация
Техническое описание: IXXH80N65B4H1EN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
