О модели
Описание
IXYS IXTY26P10T. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO252; Время готовности — 70нс; Напряжение сток-исток — -100В.
Ток стока — -26А; Сопротивление в открытом состоянии — 90мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 150Вт.
Полярность — полевой; Заряд затвора — 52нC; Технология — TrenchP™; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — ±15В.
Перед заказом проверьте артикул IXTY26P10T, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO252
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXTY26P10T
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
