IXYS
· Полупроводники
IXYS IXTY1R4N120P-TRL — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IXTY1R4N120P-TRL
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 1,4А; 86Вт; DPAK,TO252AA; 900нс
Ток стока: 1,4 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Корпус: TO252AA · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
IXYS IXTY1R4N120P-TRL — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 1,4 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252AA.
Время готовности — 900нс; Напряжение сток-исток — 1,2кВ; Сопротивление в открытом состоянии — 10,5Ом; Рассеиваемая мощность — 86Вт.
Заряд затвора — 24,8нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — 30В.
Перед заказом проверьте артикул IXTY1R4N120P-TRL, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 1,4 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK, TO252AA
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXTY1R4N120P-TRL
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
