IXYS
· Полупроводники
IXYS IXTX32P60P — Транзисторы с каналом P THT
MPN / артикул: IXTX32P60P
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; полевой; -600В; -32А; 890Вт; 480нс
Монтаж: THT · Корпус: PLUS247TM · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P THT
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
IXYS IXTX32P60P. Категория: «Транзисторы с каналом P THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — PLUS247™; Время готовности — 480нс; Напряжение сток-исток — -600В.
Ток стока — -32А; Сопротивление в открытом состоянии — 0,35Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 890Вт.
Полярность — полевой; Заряд затвора — 196нC; Технология — PolarP™; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IXTX32P60P, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- THT
- Корпус
- PLUS247TM
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXTX32P60P
Материалы
Документация
Техническое описание: IXT 32P60PEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
