IXYS · Полупроводники

IXYS IXTX170P10P — Транзисторы с каналом P THT

MPN / артикул: IXTX170P10P

Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -170А; 890Вт; 176нс

Производитель автоматикиIXYS
АртикулIXTX170P10P
РазделПолупроводники
Единицашт

Монтаж: THT · Корпус: PLUS247TM · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P THT

Фото товара

IXYS IXTX170P10P — Транзисторы с каналом P THT

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

IXYS IXTX170P10P. Категория: «Транзисторы с каналом P THT».

Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — PLUS247™; Время готовности — 176нс; Напряжение сток-исток — -100В.

Ток стока — -170А; Сопротивление в открытом состоянии — 14мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 890Вт.

Полярность — полевой; Заряд затвора — 240нC; Технология — TrenchP™; Вид канала — обогащенный.

Напряжение затвор-исток — ±20В.

Перед заказом проверьте артикул IXTX170P10P, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Монтаж
THT
Корпус
PLUS247TM
Тип транзистора
P-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
IXTX170P10P
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.