IXYS
· Полупроводники
IXYS IXTT90P10P — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: IXTT90P10P
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; полевой; -100В; -90А; 462Вт; TO268
Монтаж: SMD · Корпус: TO268 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
IXYS IXTT90P10P. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO268; Время готовности — 144нс; Напряжение сток-исток — -100В.
Ток стока — -90А; Сопротивление в открытом состоянии — 25мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 462Вт.
Полярность — полевой; Заряд затвора — 0,12мкC; Технология — PolarP™; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IXTT90P10P, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO268
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXTT90P10P
Материалы
Документация
Техническое описание: IXT 90P10PEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
