О модели
Описание
IXYS IXTT8P50. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO268; Время готовности — 400нс; Напряжение сток-исток — -500В.
Ток стока — -8А; Сопротивление в открытом состоянии — 1,2Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 180Вт.
Полярность — полевой; Заряд затвора — 130нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IXTT8P50, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO268
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXTT8P50
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
