IXYS
· Полупроводники
IXYS IXTT60N20L2 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IXTT60N20L2
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 60А; 540Вт; TO268; 330нс
Ток стока: 60 А · Монтаж: SMD · Корпус: TO268 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
IXYS IXTT60N20L2 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 60 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO268.
Время готовности — 330нс; Напряжение сток-исток — 200В; Сопротивление в открытом состоянии — 45мОм; Рассеиваемая мощность — 540Вт.
Полярность — полевой; Характеристики полупроводниковых элементов — linear power mosfet; Заряд затвора — 255нC; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IXTT60N20L2, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 60 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO268
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXTT60N20L2
Материалы
Документация
Техническое описание: IXTH(T,Q)60N20L2EN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
