О модели
Описание
IXYS IXTT3N200P3HV — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 3 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO268HV.
Время готовности — 420нс; Напряжение сток-исток — 2кВ; Сопротивление в открытом состоянии — 8Ом; Рассеиваемая мощность — 520Вт.
Полярность — полевой; Характеристики полупроводниковых элементов — standard power mosfet; Заряд затвора — 70нC; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IXTT3N200P3HV, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 3 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO268HV
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXTT3N200P3HV
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
