IXYS
· Полупроводники
IXYS IXTT2N300P3HV — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IXTT2N300P3HV
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 3кВ; 2А; 520Вт; TO268HV; 400нс
Ток стока: 2 А · Монтаж: SMD · Корпус: TO268HV · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
IXYS IXTT2N300P3HV — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 2 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO268HV.
Время готовности — 400нс; Напряжение сток-исток — 3кВ; Сопротивление в открытом состоянии — 21Ом; Рассеиваемая мощность — 520Вт.
Полярность — полевой; Характеристики полупроводниковых элементов — standard power mosfet; Заряд затвора — 73нC; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IXTT2N300P3HV, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 2 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO268HV
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXTT2N300P3HV
Материалы
Документация
Техническое описание: IXTH(T)2N300P3HVEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
