О модели
Описание
IXYS IXTT20P50P. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO268; Время готовности — 406нс; Напряжение сток-исток — -500В.
Ток стока — -20А; Сопротивление в открытом состоянии — 0,45Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 460Вт.
Полярность — полевой; Заряд затвора — 103нC; Технология — PolarP™; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IXTT20P50P, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO268
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXTT20P50P
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
