IXYS
· Полупроводники
IXYS IXTT12N150HV — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IXTT12N150HV
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,5кВ; 12А; 890Вт; TO268HV; 1,2мкс
Ток стока: 12 А · Монтаж: SMD · Корпус: TO268HV · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
IXYS IXTT12N150HV — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 12 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO268HV.
Время готовности — 1,2мкс; Напряжение сток-исток — 1,5кВ; Рассеиваемая мощность — 890Вт; Полярность — полевой.
Характеристики полупроводниковых элементов — standard power mosfet; Заряд затвора — 106нC; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IXTT12N150HV, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 12 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO268HV
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXTT12N150HV
Материалы
Документация
Техническое описание: IXTT12N150HVEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
