IXYS
· Полупроводники
IXYS IXTT110N10L2 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IXTT110N10L2
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 110А; 600Вт; TO268; 230нс
Ток стока: 110 А · Монтаж: SMD · Корпус: TO268 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
IXYS IXTT110N10L2 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 110 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO268.
Время готовности — 230нс; Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 18мОм; Рассеиваемая мощность — 600Вт.
Полярность — полевой; Характеристики полупроводниковых элементов — linear power mosfet; Заряд затвора — 260нC; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IXTT110N10L2, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 110 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO268
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXTT110N10L2
Материалы
Документация
Техническое описание: IXTH(T)110N10L2EN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
