О модели
Описание
IXYS IXTT10P60. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO268; Время готовности — 0,5мкс; Напряжение сток-исток — -600В.
Ток стока — -10А; Сопротивление в открытом состоянии — 1Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 300Вт.
Полярность — полевой; Заряд затвора — 135нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IXTT10P60, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO268
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXTT10P60
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
