О модели
Описание
IXYS IXTT10N100D — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 10 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO268.
Время готовности — 850нс; Напряжение сток-исток — 1кВ; Сопротивление в открытом состоянии — 1,4Ом; Рассеиваемая мощность — 400Вт.
Полярность — полевой; Заряд затвора — 130нC; Вид канала — обедненный; Напряжение затвор-исток — ±30В.
Ток стока в импульсном режиме — 20А.
Перед заказом проверьте артикул IXTT10N100D, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 10 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO268
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXTT10N100D
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
